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        大功率GaN快充|ZVS反激電源控制芯片RM6801ND

        來源:亞成微電子 發布時間:2021-07-19 閱讀次數:

        強制ZVS反激式電源控制芯片RM6801ND

         

        高效率、大功率

        ■專有ZVS技術降低MOSFET開關損耗,改善EMI特性;

        ■支持CCM/QR混合模式;

        ■支持最大130KHz工作頻率;

        ■專有驅動技術,可直接驅動E-Mode GaN功率器件,省去外置驅動器件。

         

        超低待機功耗

        ■ 內置700V高壓啟動;

        ■ 集成X-CAP放電功能;

        ■ 低啟動電流(2uA),低工作電流;

        ■ 待機功耗<65mW。

         

        優異的性能

        ■ 內置特有抖頻技術改善EMI;

        ■ Burst Mode去噪音;

        ■ 集成斜坡補償及ZVS高低壓補償功能;

        ■ 集成AC輸入Brown out/in功能;

        ■ 外置OVP保護,具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護;

        ■ 內置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護。


        原理圖
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        產品系列

         

        型號 反饋形式 輸出功率 封裝 功率管
        RM6801ND SSR+ZVS 100W SSOP-10 外置GaN

         

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