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        GaN快充|QR/CCM反激式電源控制芯片RM6601X

        來源:亞成微電子 發布時間:2020-11-25 閱讀次數:

        E-Mode GaN FET直驅QR/CCM反激式電源控制芯片RM6601SN


        芯片特點
         

        高效率、大功率

        ■支持CCM/QR混合模式;

        ■支持最大140KHz工作頻率;

        ■RM6601S采用專有的分段驅動技術,可匹配coolmos設計

        RM6601SN采用專有驅動技術,直驅 E-mode GaN FET

         

        超低待機功耗

        ■ 內置700V高壓啟動;

        ■ 集成X-CAP放電功能;

        ■ 低啟動電流(2uA),低工作電流;

        ■ 待機功耗<65mW。

         

        優異的性能

        ■ 內置特有抖頻技術改善EMI;

        ■ Burst Mode去噪音;

        ■ 集成斜坡補償及ZVS高低壓補償功能;

        ■ 集成AC輸入Brown out/in功能;

        ■ 外置OVP保護,具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護;

        ■ 內置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護。


        原理圖
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        產品圖


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        產品系列


         

        型號 反饋形式 輸出功率 封裝 功率管
        RM6601S SSR+QR 75W SOP-8 外置MOS
        RM6601SN SSR+QR 120W SOP-8 外置GaN

         

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