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        廣西大學本碩博創業團隊研發出芯片產業關鍵原材料7N高純鎵

        來源:亞成微電子 發布時間:2023-08-07 閱讀次數:

               據《中國日報》報道,廣西大學本碩博創業團隊“保‘鎵’衛國” 研發出核心技術,成功制備出純度均達到國際領先水平的芯片產業關鍵原材料7N高純鎵。
               半導體產業包括設計、制造、封裝與測試三大環節與半導體設備及材料兩大支柱產業,其中半導體原材料是產業上游基礎,一直以來,由于原材料加工工藝不成熟等原因,影響著我國半導體產業的發展。高純金屬鎵作為生產鎵化物芯片必不可少的關鍵原材料之一,制備獲得超高純度、符合納米級別芯片使用的金屬鎵,是半導體產業上游關鍵性技術“卡脖子”難題之一。
               據報道,
        “保‘鎵’衛國”團隊依托廣西大學省部共建特色金屬材料與組合結構全壽命安全國家重點實驗室,歷時576次實驗,經過1728組數據積累,研發出核心技術“標準晶種制備工藝”“冷熱循環結晶技術”“高純鎵一體化提純設備”,分別針對性地解決了高純鎵生產中所面臨的產品純度低、生產周期長、工藝流程復雜三大痛點難題,成功突破了我國在芯片關鍵原材料制備方面的技術難題。
               7N高純鎵可廣泛適應于軍事、通訊、新能源產業等多領域,量產后能有效緩解我國半導體原材料行業“卡脖子”問題,為國家半導體原材料安全保駕護航。
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